近日，在台积电的第26届技术研讨会上，台积电公开了未来一段时间的技术路线，其中除了表示将在明年推出增强版的5nm工艺外，还首次公开了3nm和4nm工艺的成果。根据台积电的描述，3nm是5nm的真正迭代产品，而4nm则是5nm的改良增强版，4nm已经确定将会在明天早起推出，而3nm工艺则是在明年后半段时间进行风险试产，预计要到2022年才会进行大规模量产。

　　3nm和4nm对比现在的5nm有怎样的提升呢？首先是功耗，随着工艺的提升，功耗将会有着较大幅度的降低，比如3nm工艺预计将比现在的5nm工艺降低月25-30%的功耗，同时还会有着10%-15%的性能提升。而4nm工艺的提升则会小一些，并且台积电并没有公开预测数据，但是外界猜测幅度大约在15%左右，对于越发耗电的5G手机来说算是一个好消息。

　　不过，台积电并非第一个公开3nm计划的厂商，另一个半导体巨头三星在早前就已经公开了3nm的量产计划，并且比之台积电更加激进。三星预计将会在明年，也就是2021年正式将3nm工艺投入量产中，进度显然比台积电要更快一些。一部分原因是三星放弃了传统的FinFET工艺，改用了新的GAA工艺，希望能够借此弯道超车。