过去十几年中，我国的通讯产业经历了从2G到3G，再由3G到4G的更新迭代。2019年，三大运营商公布5G商用套餐，正式标志着中国开始进入5G商用时代。5G时代的到来，不仅大幅提升了通讯速率和效率，促进了数字经济的蓬勃发展及硬件设备的换代升级，也对信号传输提出了更高要求。
在无线通讯行业，射频芯片被称为模拟芯片领域“皇冠上的明珠”，在信号传输过程中扮演着十分重要的角色。其作为无线连接的核心，能够将射频信号和数字信号进行转化，因此凡是接入移动互联网的设备均需要射频前端芯片。具体而言，射频芯片包括低噪声放大器（LNA）、射频开关（RF Switch）、 功率放大器（PA）、滤波器（Filter）等多种器件。
伴随着通信产业的跨越式发展，射频器件作为无线通讯不可缺少的基础一环，市场需求量也在不断提升，据Yole Development的数据显示，2018年全球移动终端射频前端市场规模为150亿美元，而预计到2025年有望达到258亿美元[1]。面对快速增长的市场需求及我国5G技术的高速发展，实现射频芯片本土化替代的需求不断加快，这也为我国射频产业链企业的发展提供了良好的机遇。
作为中国领先的模拟与分立半导体设计公司，豪威集团旗下韦尔半导体一直致力于高性能射频器件的研发，持续引领射频新技术发展，尤其在低噪放（LNA）、射频开关（RF Switch）、天线调谐器（Tuner）领域，已打造出成熟的产品布局。其射频产品依靠新设计、新工艺和新材料的结合，突破了传统的设计思路，为无线通信领域多元化的产品提供创新动力。
在射频器件中，射频开关（RF Switch）可用于实现射频信号接收与发射的切换及不同频段间的切换。随着5G商业化落地，不同频段信号接收、发射的需求量不断增大，对射频开关的要求也随之增加。韦尔半导体最新推出了HWS7804LMA、VWS7802LA、VWS7822LE三款5G射频开关器件，具有低插入损耗，高端口隔离度的特性，可支持高频6GHz应用，即使远隔千山万水，也能保障良好的信号发射和接收效果。
HWS7804LMA采用RF CMOS绝缘体上硅（SOI）技术，是一颗大功率MIPI控制的单刀四掷开关，适用0.1G-6GHZ的宽带射频范围，并针对高性能GSM、CDMA、WCDMA、LTE和5G NR 应用进行了优化，具有低导通电阻、低关断电容和高功率承受能力的特性。该射频开关设置RFFE2.1控制接口，并采用1.1mm×1.1mm 9引脚进行封装，无需再外加隔直电容。凭借低功耗及小封装的优势，HWS7804LMA可广泛应用于手机、蜂窝调制解调器和USB设备及多模GSM、EDEG、WCDMA、LTE和5G NR 应用中。
VWS7802LA是一款高功率的单刀双掷开关，对5G NR高功率、高线性度进行了优化，可广泛应用于5G射频前端。
VWS7822LE则是一款具有优质线性度的双刀双掷转换开关，其优质的线性度和谐波性能非常适合多模 GSM、EDGE、UMTS和LTE手机应用。在产品设计方面，VWS7822LE采用1.5mmx1.1mm 10pin的紧凑封装尺寸，可在1.4V-4.2V的供电电压范围内工作，适用于多元化平台和产品形态，帮助设计人员将其快速集成到多模多频段系统中，大大满足市场对射频开关复杂功能的需求。
除上述三款全新产品外， 韦尔半导体还拥有几乎全系列LTE分立接收开关。其中WS7810QM（单刀十掷）和WS7812QD（双刀12掷）均采用MIPI控制，可使射频前端达到最优布局，具有低插损、高隔离、高线性度等特点，支持到3.8GHz高频应用，并具有大量量产经验，封装可靠性得到有效保证。两款产品均为手机、蜂窝通讯模块、数据卡等应用场景设计。
此外，韦尔半导体还在2019年分别推出了WS7854QA及WS7872DA两款产品。WS7854QA是一款带ESD防护的单刀四掷开关，针对3G/4G射频路径和分集应用进行了优化，并具有高线性度、低插入损耗的优势，其工作频率可高达3GHz，可满足LTE TRx的中功率需求，已被广泛应用于WCDMA/LTE手机和数据卡应用中，可为手机、平板电脑等移动设备提供更长的续航时间。在产品封装上，WS7854QA则采用1.1×1.1 mm?紧凑型四方扁平无引线（QFN）封装结构，消除了侧向突出于封装之外的耗费空间大的外部引线，有效改善封装时连接可靠性。
WS7872DA则属于单刀双掷（SPDT）开关。该产品工作频率可高达6GHz， 并具有高线性度、较低的插入损耗、开关切换时间快等优势。WS7872DA采用1.0 x 1.0 mm?紧凑型双扁平无引线（DFN）封装结构，且功耗极低，是802.11 a/b/g/等WLAN应用的理想选择。
除射频开关产品外，韦尔半导体还拥有一系列低噪音放大器（LNA）产品。区别于控制信号通道转换作用的射频开关，低噪声放大器（LNA）则可将接收到的微弱射频信号放大，并尽量降低噪声的引入，以实现良好的信噪比。WS7932DE 是韦尔半导体研发的第3代LTE LNA产品，采用COMS工艺实现了18dB的高增益，有效提升了系统接收灵敏度，并凭借0.8dB的低噪声系数，大大提高了输出信噪比。同时，WS7932DE采用了业界通用的1.1mm X 0.7mm小尺寸封装，与主流型号兼容，方便调试替换，既为产品设计节省了宝贵的内部空间，又利于加速产品上市速度。
如今，人们已逐渐认识到“中国芯”替代在科技竞争中的重要作用，随着5G技术及通讯产业的跨越式发展，射频器件的重要性也愈发凸显。韦尔半导体凭借前瞻的技术研发、基于十余年技术积累和自主的技术架构工艺创新，已自行研发出可广泛覆盖手机和通讯模块市场、WiFi路由器市场和通讯基站市场的射频前端解决方案。面向5G时代，韦尔半导体也将持续专注于技术革新，推动“中国芯”从跟随到主导，从国产替代到齐头并进，携手行业共同发力5G在中国乃至全球的发展。
