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在FinFET逐渐走到极限之后，先进半导体工艺将在3nm节点逐渐转向GAAFET。三星在2021国产IP与定制芯片生态大会上，公开新工艺路线图，除了宣布将在2020年量产3nm GAE(gate-all-around early)外，同时披露3nm GAP(gate-all-around plus)将在2023年量产。