8月2日消息，三星官方公布了一份时间表，展示了自家6nm、5nm、4nm芯片的研发情况：6nm制式芯片将于今年下半年投入量产；5nm制式芯片已经设计完成，明年上半年将投入量产；4nm制式芯片正处在研发阶段，将于几个月内设计完成。
据悉，此次的三星6nm、5nm、4nm芯片，都是在7nm芯片的工艺基础上改进而来。三星公布的技术发展示意图显示，三星的芯片研发分为14nm、10nm、7nm、3nm这四个关键节点。其中，在3nm工艺之前，每个节点都有3至4代的内部迭代空间；而3nm则采用突破性的全新设计，或将成为短期内三星芯片的“最终形态”。
此前还有媒体报道，三星旗下工厂已经更新一批新的芯片生产设备，用于搭建全新的5nm芯片生产线。据悉，该生产线耗资约6万亿韩元（约合人民币350亿元），预计在今年搭建完成，明年开始大批量生产。这条生产线经Cadence和Synopsys认证，采用了极紫外光刻（EUV）工艺技术，目前在业内较为领先。
据悉，三星的5nm芯片与7nm相比，拥有更小的面积和更高的晶体管密度。实际使用中，其逻辑效率将提升25%、整体性能将提升10%，而功耗将降低20%，今后或将广泛运用于5G、人工智能、物联网搭建等领域。
本文编辑：张亦非
